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Siliconix / Vishay SI2319DS-T1-E3

Mosfet P-Ch 40V 2.3A 3-Pin Sot-23 T/R del transporte

N.º de pieza del y Nº de parte: N.o de existencias de SI2319DS-T1-E3 / RS: 70026411

Siliconix / Vishay

Siliconix / Vishay SI2319DS-T1-E3

Fabricante y Nº de parte: SI2319DS-T1-E3
RS Inventario #: 70026411

Descripción

Mosfet P-Ch 40V 2.3A 3-Pin Sot-23 T/R del transporte

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3000

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Especificaciones de producto

Atributo del producto
Valor de la cualidad
Tipo de canal
P
Configuración
Individual
Drene la corriente
-1.85 amperio
Drene a la fuente en resistencia
0.13 ohmios
Drene al voltaje de la fuente
-40 V
Transconductancia delantera
7 S
Voltaje delantero, diodo
-1.2 V
Puerta al voltaje de la fuente
20 V
Temperatura de funcionamiento máximo
°C de 150
Temperatura de funcionamiento mínima
-°C de 55
Tipo del montaje
montaje superficial
Número de elementos por viruta
1
Número de pernos
3
Tipo del paquete
TO-236
Disipación de la energía
0.75 W
Rango de operación de la temperatura
-55 al °C de +150
Dé vuelta apagado retrasa Tiempo
25 ns
Dé vuelta encendido retrasa Tiempo
15 ns
Carga típica @ Vgs de la puerta
11.3 nC @ - 10 V

Resumen

Características:
  • Opción Halógeno-Libre disponible
  • Conmutación del Bajo-Lado
  • En-Resistencia baja: 5
  • Umbral bajo: 0.9 V (Typ.)
  • Velocidad rápida de la conmutación: 35 ns (Typ.)
  • MOSFETs de la energía de TrenchFET®: 1.5 V clasificado
  • ESD protegido: 2000 V

    Usos:
  • Conductores: Relais, solenoides, lámparas, martillos, exhibiciones, memorias
  • Sistemas con pilas
  • Circuitos del convertidor de la fuente de alimentación
  • Teléfonos de la célula de la conmutación de la carga/de la energía, paginadores
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